Que tal Abel135,
El transistor 2N2222A te deberia funcionar también (que creo que estas usando el PN2222A), de hecho tiene mayor corriente de colector que el BC548B. Posiblemente lo estas conectando mal. Estos dos transistores no tienen el mismo orde de patillaje.
El transistor BC548B tiene el siguiente patillaje:
1. Colector
2 Base
3 Emisor
El Transistor PN2222A tiene el siguiente patillaje
1. Emisor
2. Base
3. Colector
Si estas usando el transistor 2N2222A con ecapsulado TO-18 (encapsulado metalico) Entonces te daras cuenta que son completamente diferentes.
Volviendo al tema de como calcular la resistencia de base para llevar a saturación un transistor y usarlo como switch.
La clave siempre es conocer las características de la carga, que en este caso es un relevador (un inductor) modelo RAS-1210 fabricado por SUN-HOLD. Ahora bien, basado en la hoja de datos de este relevador (
http://www.sunhold.com/upload/prd1/21-3.pdf) podemos ver que la corriente de la bobina es de 30mA. Eso quiere decir que la corriente de la carga es de 30mA, y por lo tanto esa corriente es la corriente de colector.
Ahora bien tomemos como base el transistor BC548B. Al observar su hoja de datos (
http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/BC546-D.PDF) podemos darnos cuenta que su beta (HFE) tiene un valor minimo de 110 y el voltaje de base-emisor cuando está en saturación es de 700mV [VBE(sat)].
Sabemos que la corriente de colector es directamente proporcional a la corriente de base, esto es:
Ic = HFE*Ib
Donde:
Ic es la correinte de colector
HFE es la ganancia o factor de proporcion
Ib es la corriente de base.
OK. Entonces nuestra corriente de colector es la correinte de carga del relevador que es de 30mA
Ahora bien si el transistor lo vamos a activar con el pin del PIC, esto quiere decir que tenemos un voltaje de activación de 5V.
Aplicando analisis de circuitos (una simple ley de ohm), obtenemos que:
Vdd = Ib*Rb - VBE(sat)
Donde:
Vdd es el voltaje de activacion, en este caso es 5V
Ib es la corriente de base
Rb es la resistencia de base
VBE(sat) es el voltaje de base cuando el transistor esta en saturación.
Como podemos darnos cuenta tenemos una ecuacion con 2 incógnitas, el Ib y el Rb, así que lo primero que tenemos que hacer es encontrar la Ib.
Esta se puede obtner de la ecuacion anterior: Ic = HFE*Ib
Esto quiere decir que si depejamos a Ib de la ecuacion, tenemos que:
Ib = Ic/HFE
Susutiuyendo los valores conocidos:
Ib = 30mA/110
Ib = 273 uA.
Lo anterior quiere decir que para saturar a nuestro transistor necesitamos una corriente de base mayor a los 273uA. Entonces digamos que escogemos 500 uA para asegurar la saturacion (puede ser mayor, siempre y cuando no rebase los limites del transistor, vea la hojas de datos).
Muy bien, con nuestra corriente de base de 500 uA, ahora la podemos usar en la ecuacion: Vdd = Ib*Rb - VBE(sat)
De esta ecuacion ahora solo tenemos que despejar a Rb (la resistencia de base), entonces:
Rb = [Vdd - VBE(sat)]/Ib
Sustituyendo los valores:
Rb = (5V - 0.7V)/500uA
Rb = 4.3V/500uA
Rb = 8600 ohms (8.6 Kohms)
La resistencia comercial mas cercana es de 8.2 Kohm asi que ya hemos calculado la resistencia de base necesaria para activar y desactivar un relevador RAS-1210 con un transistor BC-548B
Nomas por curiosidad coloca ahora el valor de la resistencia de 8.2 Kohms en la ecuacion de:
Vdd = Ib*Rb - VBE(sat) y despeja el valor de la corriente de base.
Saludos y espero que esto sea de gran ayuda.
