Autor Tema: transistor en corte y saturacion  (Leído 5756 veces)

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Desconectado electroicarus

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transistor en corte y saturacion
« en: 30 de Mayo de 2006, 03:18:40 »
Alguien sabe como calcular la corriente de base para que el tansistor opere en corte y saturacion
como hago para lacular la resistencia en la base para que opere en corte y saturacion?

« Última modificación: 30 de Mayo de 2006, 03:23:37 por electroicarus »

Desconectado M.C_Barquin

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Re: transistor en corte y saturacion
« Respuesta #1 en: 30 de Mayo de 2006, 11:23:38 »
Hola. Me imagino que te refieres a la corriente de polarización de base. Para que no conduzca pues no alimentes la base.Para que conduzca alimenta la base con una corriente igual a la corriente de colector dividido por la ganancia del transistor. Dependiendo de la diferencia de potencial con que alimentes la base,la resistencia de base a emplear será igual al voltaje de alimentacion menos el voltaje de base dividido por la corriente de colector que obtuviste en el cálculo anterior. Espero que me hayas comprendido. Un saludo.
Pensando en Verdiblanco

Desconectado vszener

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Re: transistor en corte y saturacion
« Respuesta #2 en: 30 de Mayo de 2006, 12:01:09 »
Aqui tienes una breve explicacion de como calcular teroicamente la region de saturacion y la region de corte
Transistor


Suerte!!! :wink:
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Desconectado electroicarus

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Re: transistor en corte y saturacion
« Respuesta #3 en: 31 de Mayo de 2006, 04:16:59 »
para el 2n2222 cuanta es la ganancia o el hf ,en la tabla hay valores 35-50-75-100-3050 minimo ,y maximo 300 no entiendo cual de todos uso,crei que en corte y saturacion el hfe era fijo.

Desconectado jfh900

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Re: transistor en corte y saturacion
« Respuesta #4 en: 31 de Mayo de 2006, 04:22:56 »
Como el fabricante da los valores mínmos, máximos y típicos, se suelen utilizar los valores típicos para el calculo. Aunque tambien se emplean aquellos valores mas desfavorables para cada situación. Para el caso de saturación tomariamos el hfe mínimo ya que es el caso mas desfavorable.

Un saludo.
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